Cet ouvrage est une étude assez complète de l’electronique
analogique de base qui est très utile à la compréhension pratique et
théorique de l’electronique analogique quelque soit le niveau de
l’enseignement supérieur (licence, cycle préparatoire, mastère ainsi
qu'aux candidats du capes...).
le premier chapitre rappelle les théorèmes généraux de
l'électrocinétique et présente les conventions à utiliser dans les
phénomènes périodiques d'un régime sinusoïdal.
nous présentons au second chapitre une étude complète des
quadripôles linéaires. nous commençons par une présentation des
paramètres d'un quadripôle, puis nous étudions les différentes
associations des quadripôles. l'étude est suivie par des applications,
des modélisations et par l'étude de la fonction de transfert des
quadripôles. une étude assez complète des digrammes de bode pour
des filtres du premier et du second ordre est effectuée. cette étude est
suivie par des applications couvrant tout les types de quadripôles.
le chapitre trois porte sur les diodes; nous commençons par
expliquer le dopage d'un semi-conducteur, puis nous analysons une
jonction p-n. nous donnons les notations à utiliser et les
caractéristiques des diodes, nous expliquons comment déterminer le
point de fonctionnement, nous donnons les principaux modèles de la
diode et les circuits à diodes. une étude détaillée de la diode zener est
effectuée. le chapitre se termine par des applications sur les diodes.
dans le quatrième chapitre une étude détaillée des transistors à
effet de champ (j.f.e.t.) est effectuée. une analyse de la polarisation
d'un (j.f.e.t.) à canal n (dans la zone de pincement) est présentée. la
synthèse d'un montage à (j.f.e.t.), la modélisation; l'amplification et
les limitations dans le fonctionnement d'un (j.f.e.t.) sont analysés.
le chapitre se termine par une annexe portant des applications
pédagogiques intéressantes.
l'étude d'un transistor à effet de champ et à grille isolée
(mosfet) est présentée dans le chapitre v. nous analysons les cas
de l'application à la grille des tensions négative puis positive. nous
étudions la caractéristique id=f(vgs), le fonctionnement d'un (mosfet) en régime d'enrichissement. la polarisation, l'étude
dynamique d'un (mosfet) et l'étude des commutateurs à (mosfet)
sont effectuées. nous terminons ce chapitre par l'étude de l'influence
de la température et par l'analyse des limitations dans le
fonctionnement d'un (mosfet).
le chapitre six porte sur les transistors bipolaires. nous
commençons par une présentation des notations et conventions à
utiliser, puis une description simplifiée du fonctionnement physique
d'un transistor bipolaire est effectuée. nous étudions dans ce chapitre
les courbes caractéristiques, les différents régimes de fonctionnement,
l'influence de la température, les caractéristiques de transfert, la
polarisation ainsi que la modélisation des transistors bipolaires.
enfin l'étude de l'amplificateur pour petits signaux est le
propos du chapitre sept. nous étudions le régime dynamique du
transistor (étude dans la bande passante), les classes de
fonctionnement d'un transistor, les amplificateurs à transistor
bipolaire, les montages à base commune, le montage boostrap
(collecteur commun), le montage cascode. nous analysons le
montage collecteur commun et ses propriétés, le montage émetteur
commun et ses propriétés, le montage à base commune et ses
propriétés. nous déterminons les fréquences de coupure (basse et
haute) et nous terminons le chapitre par des applications sur les
transistors.
